Калининградский государственный технический университет
Государственного комитета Российской Федерации по рыболовству






УТВЕРЖДАЮ
проректор по учебной работе Ф.А.Титков
2001 г.



Учебная программа
по дисциплине "Физические основы микроэлектроники"
1. СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ

1.1 Разделы дисциплины и виды занятий

№ п/п Разделы дисциплины Лекции ЛР
1 Контактные явления в полупроводниках 6 4
2 Физические основы работы транзисторов 4 6
3 Физические основы оптоэлектроники 4 4
4 Особенности полупроводниковых элементов в микроэлектронном исполнении 2 -

1.2 Содержание разделов дисциплины

Контактные явления в полупроводниках

Электропроводность твердого тела. Собственная электропроводность полупроводников. Примесная электропроводность полупроводников. Энергетические уровни доноров и акцепторов. p-p-переход. Вольт-амперная характеристика р-n-перехода. Эффект выпрямления в p-n-переходе. Пробой p-n-перехода. Емкости p-n-перехода. Эквивалентная схема p-n-перехода. Понятие диода.

Физические основы работы транзисторов

Основные процессы в биполярном транзисторе. Токи транзистора. Коэффициент передачи тока эмиттера. Дифференциальные сопротивления переходов и емкости транзистора. Способы включения и статические характеристики биполярных транзисторов. Основные процессы в полевых транзисторах с затвором в виде p-n-перехода и в МДП-транзисторах. Статические характеристики полевых транзисторов.

Физические основы оптоэлектроники

Внутренний и внешний фотоэффекты. Спектральная чувствительность полупроводника. Вентильный и фотодиодный режимы p-n-перехода. фотодиода. Вольт-амперная, световая и спектральная характеристики фотодиода. Физические процессы в фототранзисторе. Характеристики фототранзистора.

Особенности полупроводниковых элементов в микроэлектронном исполнении.

Понятие интегральной микросхемы. Создание в составе микросхемы резисторов, конденсаторов, транзисторов. Изоляция компонентов в микросхеме.

2. ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ

№ п/п № раздела Наименование лабораторных работ
1 1 Исследование зависимости параметров p-n-перехода от приложенного напряжения и температуры
2 1 Исследование частотных свойств р-n-перехода
3 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
4 2 Исследование частотных характеристик биполярного транзистора
5 2 Исследование статических характеристик полевых транзистора
6 3 Исследование характеристик фотодиодов
7 3 Исследование характеристик фототранзисторов

3. УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ

Рекомендуемая литература
а) основная литература:
1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. Учебное пособие для ВУЗов. - М: Лаборатория базовых знаний , 2000 , - 488 с.
2. Ибрагим К.Ф. Основы электронной техники. - М.: Мир, 2001. - 398 с.
3. Пасынков В. В. Полупроводниковые приборы Учебник Для ВУЗов. - С-Пб.: Лань, 2001. -480 с.
б) дополнительная литература:
4. Высоцкий Л. Г. Электроника (Э). Методические указания к вьшолнению лабораторных работ по курсу Э для направления 552800 - Информатика и вычислительная техника.